DDR2 现货大涨 厂商乐透
DRAM报价昨日大幅走扬，集邦科技(DRAMeXchange)表示，近期现货市场因供给产能控制改善，加上大陆通路商进场备货，DRAM报价出现大幅上涨走势，DDR2 eTT颗粒上涨至2.07美元，涨幅29.4％，品牌颗粒DDR2 512Mb64M*8则上涨至2.06美元。集邦科技认为，DDR2 eTT价格涨势惊人，甚至已超越品牌价格形成黄金交叉，以过往历史经验观察，将有机会带动现货市场的品牌颗粒价格上扬。
六月份DRAM现货报价止稳，惟合约价仍有修正，法人推估，DRAM厂六月营收跌幅约10％；第二季营运营运仅华亚科获利，EPS约0.36元，力晶、茂德及南亚科单季EPS亏损约0.2元至0.5元。
永丰金证券认为，有鉴于下半年DRAM需求可望回升，预期七月份伴随合约价反弹，DRAM厂商营运亦将走出谷底；其中南亚科因OEM比重较高，合约价反弹将优先受惠，至于12寸厂产能、效益持续推展的力晶、茂德，也可逢低买进。
华亚科因以Wafer型态出货，加上当前十二吋厂运作效率领先同业；永丰金证券推估今年EPS3.36元。力晶、茂德销售以现货市场颗粒为主，今年EPS约1.54元、0.83元，至于南亚科全年EPS0.89元。
集邦科技分析近期现货报价反弹原因，首先是中国华南地区严抓走私DRAM，促使深圳地区的通路商积极备货，带动价格上涨。集邦表示，一般DRAM产品经由海关进入中国市场，必须要课征17％关税，因此对于价格波动非常大的现货市场而言，从香港走私进去的DRAM产品成为部份大陆通路商的竞争模式，而近期华南地区严抓走私的政策，相关厂商为了避免缺货而积极备货，进而带动DRAM现货价格的上涨。
其次，近期台系DRAM厂商纷纷转进70nm，拉长cycle time，使得五、六月份产出减少。虽然减少幅度不大，但是由于台系厂商主要供货到现货市场为主，在预期现货市场供给量减少的情况下，带动现货市场报价大幅反弹。预期七、八月以后台系厂商70nm制程进度将较为顺利。
转自《华强电子世界网》
